Samsung je najavio značajno dostignuće, koje bi moglo dramatično poboljšati performanse kao i radni vijek baterije na budućim premijum telefonima južnokorejske kompanije.
Kompanija je objavila nadogradnju svojih mobilnih procesora tokom Samsung Foundry Forum 2019 događaja.
Ukratko, Samsung je na pragu toga da značajno preradi osnovne elektronske elemente u značajno manjoj veličini od tri nanometra. Ovo bi trebalo da poboljša performanse brzine za 35% i smanji potrošnju za 50 procenata. Ova ušteda energije i poboljšanje performansi će stići kao rezultat smanjenja veličine čipa za 45 procenata.
Trenutno, najveći broj čipova koristi 7nm procese, uključujući Qualcomm Snapdragon 855, Kirin 980 i Apple A12 Bionic koji pokreću Galaxy S10 Plus, Huawei P30 Pro i iPhone XS Max uređaje.
Prema navodima zvaničnika kompanije, Samsung je ispred rivalskih proizvođača čipova kada je u pitanju novi proces, poznat kao Gate All Around, ili GAA. Samsung je ispred kompanije TSMC za oko 12 meseci, dok Intel zaostaje oko dvije do tri godine.
Prvi 3nm sistemski čip, koji će se koristiti u smartfonima, tabletima i drugim mobilnim uređajima, će biti testiran 2020. godine, dok se masovna proizvodnja očekuje 2021. Dodatna poboljšanja za čipove viskoih performansi, kao što su grafički procesori i AI čipovi za data centre, bi trebalo da se pojave 2022. godine.
Ovo znači da bismo čipsetove, koji značajno smanjuju potrošnju baterije, mogli vidjeti na Samsung Galaxy S12 modelima koji se očekuju početkom 2021. godine (pod uslovom da se južnokorejska kompanija drži trenutnog rasporeda objave telefona).
